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韶风名家论坛|二维晶体管中的栅极

文章来源: 发布时间:2021-12-08 15:30:00 浏览次数:

2021年12月7日下午3点,伊缅园在线免费入口以“二维晶体管中的栅极”为主题的韶风名家论坛在研究生院研二阶梯教室成功举办。本次论坛邀请到湖南大学廖蕾教授作主讲,由伊缅园在线免费入口副院长毛宇亮教授主持。伊缅园在线免费入口院长钟建新教授等领导、科研骨干、青年教师和近100名研究生参会。

廖蕾教授是湖南大学物理与微电子科学学院副院长,微纳光电器件与应用教育部重点实验室主任,半导体学院院长,教授,博士生导师;主持过国家自然科学基金杰出青年基金、国家自然科学基金重点项目,国家重点研发计划课题等多个国家级项目,获得多种荣誉称号;发表论文200多篇,其中包括在国际顶级学术期刊Nature、Nature Electron.、Nature Commun.、Science Advance、Adv. Mater.和IEEE EDL/TED等期刊上发表学术论文;拥有授权中国发明专利5项。

报告伊始,廖教授以“传统场效应晶体管的结构原理与发展”为切入点,讲解了现代晶体管研究所面临的挑战:晶体管是现代信息技术的核心,但是随着工艺的发展,传统电子器件已经临近几何尺寸和热力学的极限,亟需新颖的方法来保持晶体管发展的活力。接下来,他引入解决这一挑战的“利刃”——二维晶体管。并从二维晶体管栅极的几何结构出发,介绍了范德华异质集成和超薄缓冲层的方法。他表示方法可以抑制传统沉积技术产生的缺陷,从而获得高质量的器件界面,为新型半导体器件设计与构建提供了新的设计思路。最后,廖教授对提高晶体管性能的方法进行了总结,对二维晶体管的前景进行了展望。

报告结束后,廖教授耐心解答了在场师生提出的学术问题,并对部分老师的研究课题给予针对性指导。

听完廖教授精彩的报告,在场同学表示受益匪浅。20级集成电路专业硕士邓纪财感叹道:“目前我国的半导体产业发展还处于相对落后的局面,发展基于二维半导体的新型芯片对我们来说既是挑战又是机遇,我们应该把握机遇,在芯片之路实现弯道超车!”

处湘江之畔,沐韶风之拂。此次韶风名家论坛的开展给物理院师生带来了更广阔的知识面和更宽泛的研究角度,正是研究的“源头活水”。同“名家”对话交流,拓宽了研究生学术视野,提升了研究生培养质量。